Hersteller Produktnummer:
ALD114913PAL
Product Overview
Hersteller:
Advanced Linear Devices Inc.
Teilenummer:
ALD114913PAL-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 10.6V 12mA, 3mA 500mW Through Hole 8-PDIP
Inventar:
13216832
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Menge
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ALD114913PAL Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Advanced Linear Devices
Verpackung
Tube
Reihe
EPAD®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET-Funktion
Depletion Mode
Drain zur Quellspannung (Vdss)
10.6V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12mA, 3mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
500Ohm @ 2.7V
vgs(th) (max.) @ id
1.26V @ 1µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2.5pF @ 5V
Leistung - Max
500mW
Betriebstemperatur
0°C ~ 70°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Gerätepaket für Lieferanten
8-PDIP
Basis-Produktnummer
ALD114913
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
1014-1065
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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