Hersteller Produktnummer:
AONS66612T
Product Overview
Hersteller:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Teilenummer:
AONS66612T-DG
Beschreibung:
60V N-CHANNEL ALPHASGT
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 48A (Ta), 100A (Tc) 7.5W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)
Inventar:
5988 Stück Neu Original Auf Lager
12991416
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
AONS66612T Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
AlphaSGT™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
48A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.65mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5300 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
7.5W (Ta), 250W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-DFN (5x6)
Paket / Koffer
8-PowerSMD, Flat Leads
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
785-AONS66612TTR
785-AONS66612TDKR
5202-AONS66612TTR
785-AONS66612TCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SIHB085N60EF-GE3
E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
SQS460CENW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
SI2307A
30V 3A 1.25W 80MR@10V,3A 3V@250A
