Hersteller Produktnummer:
AOTF11S65L
Product Overview
Hersteller:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Teilenummer:
AOTF11S65L-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3F
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 31W (Tc) Through Hole TO-220F
Inventar:
2967 Stück Neu Original Auf Lager
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AOTF11S65L Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Verpackung
Tube
Reihe
aMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
399mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
646 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
31W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220F
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
AOTF11
Datenblatt & Dokumente
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
AOTF11S65L-DG
785-1517-5
5202-AOTF11S65L
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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