AOTF66616L
Hersteller Produktnummer:

AOTF66616L

Product Overview

Hersteller:

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Teilenummer:

AOTF66616L-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 38A/72.5A TO220F
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 38A (Ta), 72.5A (Tc) 8.3W (Ta), 30W (Tc) Through Hole TO-220F

Inventar:

2252 Stück Neu Original Auf Lager
12846570
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

AOTF66616L Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Verpackung
Tube
Reihe
AlphaSGT™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
38A (Ta), 72.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2870 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
8.3W (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220F
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
AOTF66616

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
5202-AOTF66616L
785-1824

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
onsemi

FDP085N10A

MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3

onsemi

NVMFS4C03NT1G

MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN

onsemi

FDN360P-NBGT003B

MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3

onsemi

FDS8842NZ

MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC