AOWF412
Hersteller Produktnummer:

AOWF412

Product Overview

Hersteller:

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Teilenummer:

AOWF412-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 7.8A/30A
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 7.8A (Ta), 30A (Tc) 2.1W (Ta), 33W (Tc) Through Hole TO-262F

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AOWF412 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Verpackung
Tube
Reihe
SDMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7.8A (Ta), 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
7V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
15.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.8V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3220 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.1W (Ta), 33W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-262F
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
AOWF41

Datenblatt & Dokumente

Produkt-Zeichnungen
TO262F Pkg Drawing
Datenblätter
AOWF412
HTML-Datenblatt
AOWF412-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
5202-AOWF412

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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