Hersteller Produktnummer:
BSS123
Product Overview
Hersteller:
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Teilenummer:
BSS123-DG
Beschreibung:
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 200mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23
Inventar:
143884 Stück Neu Original Auf Lager
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BSS123 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Anbon Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
14 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
350mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
4530-BSS123TR
4530-BSS123CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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