CP373-CTLDM303N-WN
Hersteller Produktnummer:

CP373-CTLDM303N-WN

Product Overview

Hersteller:

Central Semiconductor Corp

Teilenummer:

CP373-CTLDM303N-WN-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 3.6A DIE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 3.6A (Ta) Surface Mount Die

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CP373-CTLDM303N-WN Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Central Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.6A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
78mOhm @ 1.8A, 2.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
590 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
Die
Paket / Koffer
Die

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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