Hersteller Produktnummer:
CP406-CWDM3011N-CT
Product Overview
Hersteller:
Central Semiconductor Corp
Teilenummer:
CP406-CWDM3011N-CT-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 11A 30V BARE DIE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 9.93A (Ta) 1.15W (Ta) Surface Mount Die
Inventar:
12953918
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
CP406-CWDM3011N-CT Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Central Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9.93A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.15W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
Die
Paket / Koffer
Die
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
340
Andere Namen
1514-CP406-CWDM3011N-CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SIR870BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
IRFP360PBF
MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3
NVTFS6H888NLWFTAG
MOSFET N-CH 80V 4.9A/14A 8WDFN
