TIP35B
Hersteller Produktnummer:

TIP35B

Product Overview

Hersteller:

Central Semiconductor Corp

Teilenummer:

TIP35B-DG

Beschreibung:

TRANS NPN 80V 25A TO218
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 25 A 3MHz 125 W Through Hole TO-218

Inventar:

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12789201
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TIP35B Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Central Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
25 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
-
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
10 @ 15A, 4V
Leistung - Max
125 W
Frequenz - Übergang
3MHz
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-218-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-218

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
TIP35, TIP36 Series Power Transistors TO-218 Case General Purpose

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
100

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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