Hersteller Produktnummer:
BCP5610QTA
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
BCP5610QTA-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 80V 1A SOT223-3
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 150MHz 2 W Surface Mount SOT-223-3
Inventar:
12884285
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BCP5610QTA Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
63 @ 150mA, 2V
Leistung - Max
2 W
Frequenz - Übergang
150MHz
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-223-3
Basis-Produktnummer
BCP5610
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
BCP5610QTADI
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
BCP5610QTC
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
BCP5610QTC-DG
Einheitspreis
0.08
ERSATZART
Parametric Equivalent
Teilenummer
BCP5610TA
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
1993
TEILNUMMER
BCP5610TA-DG
Einheitspreis
0.06
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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