Hersteller Produktnummer:
BCP5616TQTC
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
BCP5616TQTC-DG
Beschreibung:
PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 150MHz 2.5 W Surface Mount SOT-223-3
Inventar:
12978599
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Menge
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BCP5616TQTC Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 2V
Leistung - Max
2.5 W
Frequenz - Übergang
150MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-223-3
Basis-Produktnummer
BCP5616
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
31-BCP5616TQTCTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
BCP5616TQTA
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
1000
TEILNUMMER
BCP5616TQTA-DG
Einheitspreis
0.07
ERSATZART
Parametric Equivalent
Teilenummer
BCP5616TTA
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
922
TEILNUMMER
BCP5616TTA-DG
Einheitspreis
0.05
ERSATZART
Parametric Equivalent
Teilenummer
BCP5616TTC
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
BCP5616TTC-DG
Einheitspreis
0.04
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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