Hersteller Produktnummer:
BS107P
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
BS107P-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 120mA (Ta) 500mW (Ta) Through Hole TO-92
Inventar:
1875 Stück Neu Original Auf Lager
12902970
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BS107P Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.6V, 5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
30Ohm @ 100mA, 5V
vgs(th) (max.) @ id
-
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
500mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Basis-Produktnummer
BS107
Datenblatt & Dokumente
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
BS107P-NDR
BS107
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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