BS170PSTOB
Hersteller Produktnummer:

BS170PSTOB

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

BS170PSTOB-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 270MA E-LINE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 270mA (Ta) 625mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)

Inventar:

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12901397
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BS170PSTOB Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
270mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
60 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
625mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
E-Line (TO-92 compatible)
Paket / Koffer
E-Line-3
Basis-Produktnummer
BS170

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,000

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
VN2106N3-G
HERSTELLER
Microchip Technology
VERFÜGBARE ANZAHL
6842
TEILNUMMER
VN2106N3-G-DG
Einheitspreis
0.34
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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