Hersteller Produktnummer:
BSS8402DW-7-F
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
BSS8402DW-7-F-DG
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 60V, 50V 115mA, 130mA 200mW Surface Mount SOT-363
Inventar:
810 Stück Neu Original Auf Lager
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BSS8402DW-7-F Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60V, 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
115mA, 130mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7.5Ohm @ 50mA, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
50pF @ 25V, 45pF @ 25V
Leistung - Max
200mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-363
Basis-Produktnummer
BSS8402
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
BSS8402DW-FDITR
BSS8402DW-FDIDKR
BSS8402DW7F
BSS8402DW-FDICT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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