DDTA114TCA-7-F
Hersteller Produktnummer:

DDTA114TCA-7-F

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DDTA114TCA-7-F-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount SOT-23-3

Inventar:

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DDTA114TCA-7-F Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
DDTA (R1-ONLY SERIES) CA
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 100µA, 1mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
250 MHz
Leistung - Max
200 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3
Basis-Produktnummer
DDTA114

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
DDTA114TCA-7-F
HTML-Datenblatt
DDTA114TCA-7-F-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DDTA114TCA-FDIDKR
DDTA114TCA7F
DDTA114TCA-FDITR
31-DDTA114TCA-7-FTR
DDTA114TCA-FDICT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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