Hersteller Produktnummer:
DDTC113ZE-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DDTC113ZE-7-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount SOT-523
Inventar:
7908 Stück Neu Original Auf Lager
12921227
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DDTC113ZE-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
1 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
33 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
250 MHz
Leistung - Max
150 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-523
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-523
Basis-Produktnummer
DDTC113
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DDTC113ZEDITR
1034-DDTC113ZE-7TR
DDTC113ZE7
981-DDTC113ZE-7
DDTC113ZEDICT
1034-DDTC113ZE-7CT
1034-DDTC113ZE-7DKR
DDTC113ZEDITR-DG
DDTC113ZEDICT-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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