DDTC114ELP-7
Hersteller Produktnummer:

DDTC114ELP-7

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DDTC114ELP-7-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 250 mW Surface Mount X1-DFN1006-3

Inventar:

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12882025
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DDTC114ELP-7 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 70mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA
Frequenz - Übergang
250 MHz
Leistung - Max
250 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
3-UFDFN
Gerätepaket für Lieferanten
X1-DFN1006-3
Basis-Produktnummer
DDTC114

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
DDTC114ELP-7
HTML-Datenblatt
DDTC114ELP-7-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DDTC114ELPDIDKR-DG
DDTC114ELPDITR
DDTC114ELP7
-DDTC114ELP-7DICT
DDTC114ELP-7DIDKR
DDTC114ELP-7DITR
-DDTC114ELP-7DITR
-DDTC114ELP-7DIDKR
DDTC114ELPDICT-DG
DDTC114ELPDITR-DG
DDTC114ELPDIDKR
DDTC114ELP-7DICT
DDTC114ELPDICT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Alternative Modelle

Teilenummer
NSBC114EF3T5G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
53397
TEILNUMMER
NSBC114EF3T5G-DG
Einheitspreis
0.03
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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