DDTD122LU-7-F
Hersteller Produktnummer:

DDTD122LU-7-F

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DDTD122LU-7-F-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SOT-323

Inventar:

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12890396
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DDTD122LU-7-F Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
220 Ohms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
56 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
200 MHz
Leistung - Max
200 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-70, SOT-323
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-323
Basis-Produktnummer
DDTD122

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
DDTD122LU-7-F
HTML-Datenblatt
DDTD122LU-7-F-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DDTD122LU-FDICT
DDTD122LU7F
DDTD122LU-FDIDKR
DDTD122LU-FDITR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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