Hersteller Produktnummer:
DDTD122TU-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DDTD122TU-7-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SOT-323
Inventar:
4798 Stück Neu Original Auf Lager
12921274
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EINREICHEN
DDTD122TU-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
220 Ohms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
200 MHz
Leistung - Max
200 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-70, SOT-323
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-323
Basis-Produktnummer
DDTD122
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
31-DDTD122TU-7TR
DDTD122TUDICT
1034-DDTD122TU-7CT
DDTD122TU7
1034-DDTD122TU-7DKR
DDTD122TUDITR-DG
DDTD122TUDICT-DG
1034-DDTD122TU-7TR
DDTD122TUDITR
981-DDTD122TU-7
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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