Hersteller Produktnummer:
DMG4N60SCT
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMG4N60SCT-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 4.5A (Ta) 113W (Ta) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12891714
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Menge
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DMG4N60SCT Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
532 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
113W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
DMG4
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
AOT4N60
HERSTELLER
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
423
TEILNUMMER
AOT4N60-DG
Einheitspreis
0.35
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
FQP6N80C
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
344
TEILNUMMER
FQP6N80C-DG
Einheitspreis
0.93
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
STP4NK60Z
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
851
TEILNUMMER
STP4NK60Z-DG
Einheitspreis
0.65
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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