Hersteller Produktnummer:
DMG4N60SK3-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMG4N60SK3-13-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO252 T&R
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 3.7A (Tc) 48W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Inventar:
12884910
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DMG4N60SK3-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.3Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
532 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
48W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252-3
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
DMG4
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
DMG4N60SK3-13DITR
DMG4N60SK3-13DICT
DMG4N60SK3-13DIDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FQD5N60CTM
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
FQD5N60CTM-DG
Einheitspreis
0.42
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IXTY2N65X2
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IXTY2N65X2-DG
Einheitspreis
0.81
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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