Hersteller Produktnummer:
DMG4N65CTI
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMG4N65CTI-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 4A ITO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 8.35W (Ta) Through Hole ITO-220AB
Inventar:
12882720
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DMG4N65CTI Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
900 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
8.35W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
ITO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Basis-Produktnummer
DMG4
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
DMG4N65CTIDI
DMG4N65CTIDDI
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TSM4ND65CI
HERSTELLER
Taiwan Semiconductor Corporation
VERFÜGBARE ANZAHL
1845
TEILNUMMER
TSM4ND65CI-DG
Einheitspreis
1.04
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
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