DMG7N65SCT
Hersteller Produktnummer:

DMG7N65SCT

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMG7N65SCT-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 7.7A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB (Type TH)

Inventar:

12883977
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

DMG7N65SCT Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
-
Reihe
Automotive, AEC-Q101
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
25.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
886 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB (Type TH)
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
DMG7N65

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
IXFP7N80PM
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IXFP7N80PM-DG
Einheitspreis
4.60
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IXFP7N80P
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
299
TEILNUMMER
IXFP7N80P-DG
Einheitspreis
2.31
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
diodes

DMN7022LFGQ-13

MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333

diodes

DMN4008LFG-13

MOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333

diodes

DMN3071LFR4-7R

MOSFET N-CH 30V 3.4A 3DFN

diodes

DMN2500UFB4-7

MOSFET N-CH 20V 810MA 3DFN