Hersteller Produktnummer:
DMN1002UCA6-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN1002UCA6-7-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH X4-DSN3118-6
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 1.1W Surface Mount X4-DSN3118-6
Inventar:
12902665
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DMN1002UCA6-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
-
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (max.) @ id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
68.6nC @ 4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
-
Leistung - Max
1.1W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-SMD, No Lead
Gerätepaket für Lieferanten
X4-DSN3118-6
Basis-Produktnummer
DMN1002
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DMN1002UCA6-7DITR
DMN1002UCA6-7DICT
DMN1002UCA6-7DIDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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