Hersteller Produktnummer:
DMN2005LP4K-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN2005LP4K-7-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Inventar:
30047 Stück Neu Original Auf Lager
12898972
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DMN2005LP4K-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (max.) @ id
900mV @ 100µA
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
41 pF @ 3 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
400mW (Ta)
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
X2-DFN1006-3
Paket / Koffer
3-XFDFN
Basis-Produktnummer
DMN2005
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DMN2005LP4KDITR
DMN2005LP4K7
DMN2005LP4KDIDKR
DMN2005LP4KDICT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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