Hersteller Produktnummer:
DMN2016UTS-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN2016UTS-13-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8TSSOP
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 8.58A 880mW Surface Mount 8-TSSOP
Inventar:
9750 Stück Neu Original Auf Lager
12887786
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DMN2016UTS-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8.58A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
16.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1495pF @ 10V
Leistung - Max
880mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-TSSOP
Basis-Produktnummer
DMN2016
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
DMN2016UTS-13DITR
DMN2016UTS13
DMN2016UTS-13DICT
DMN2016UTS-13DIDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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