DMN3009LFVQ-7
Hersteller Produktnummer:

DMN3009LFVQ-7

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMN3009LFVQ-7-DG

Beschreibung:

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 60A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

Inventar:

12979184
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

DMN3009LFVQ-7 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2000 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount, Wettable Flank
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
DMN3009

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,000
Andere Namen
31-DMN3009LFVQ-7TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
DMN3009LFVQ-13
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
DMN3009LFVQ-13-DG
Einheitspreis
0.22
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
diodes

DMP6250SEQ-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R

diodes

DMTH8028LFVWQ-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33

onsemi

NTMFS6H852NT1G

TRENCH 8 80V NFET