Hersteller Produktnummer:
DMN3009LFVQ-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN3009LFVQ-7-DG
Beschreibung:
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 60A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Inventar:
12979184
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DMN3009LFVQ-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2000 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount, Wettable Flank
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
DMN3009
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
31-DMN3009LFVQ-7TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
DMN3009LFVQ-13
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
DMN3009LFVQ-13-DG
Einheitspreis
0.22
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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