DMN3066L-7
Hersteller Produktnummer:

DMN3066L-7

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMN3066L-7-DG

Beschreibung:

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 3.6A (Ta) 810mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventar:

12987249
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

DMN3066L-7 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.6A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
67mOhm @ 2.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
4.1 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
353 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
810mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
DMN3066

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
31-DMN3066L-7TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
DMN3066LQ-7
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
2920
TEILNUMMER
DMN3066LQ-7-DG
Einheitspreis
0.05
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
vishay-siliconix

SIS184LDN-T1-GE3

N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE

vishay-siliconix

SIR5710DP-T1-RE3

N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW

diodes

DMN2024UQ-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1

toshiba-semiconductor-and-storage

TW015N65C,S1F

G3 650V SIC-MOSFET TO-247 15MOH