Hersteller Produktnummer:
DMN3069L-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN3069L-7-DG
Beschreibung:
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 5.3A (Ta) 800mW Surface Mount SOT-23-3
Inventar:
12987352
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DMN3069L-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.3A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.8V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
309 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
800mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
DMN3069
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
31-DMN3069L-7TR
31-DMN3069L-7DKR
31-DMN3069L-7CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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