Hersteller Produktnummer:
DMN62D1LFDQ-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN62D1LFDQ-13-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN T&R 1
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 400mA (Ta) 500mW Surface Mount U-DFN1212-3
Inventar:
12884595
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DMN62D1LFDQ-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
400mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 100mA, 4V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.55 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
36 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
500mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
U-DFN1212-3
Paket / Koffer
3-XDFN
Basis-Produktnummer
DMN62
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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