DMN63D1L-13
Hersteller Produktnummer:

DMN63D1L-13

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMN63D1L-13-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 380mA (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventar:

12883783
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DMN63D1L-13 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
380mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
30 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
370mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
DMN63

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
10,000
Andere Namen
31-DMN63D1L-13DKR
DMN63D1L-13-DG
31-DMN63D1L-13TR
31-DMN63D1L-13CT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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