DMN65D8LT-7
Hersteller Produktnummer:

DMN65D8LT-7

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMN65D8LT-7-DG

Beschreibung:

MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 210mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SOT-523

Inventar:

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12979087
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DMN65D8LT-7 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
210mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 115mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
24 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-523
Paket / Koffer
SOT-523
Basis-Produktnummer
DMN65

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
DMN65D8LT

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
31-DMN65D8LT-7TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
DMN65D8LT-13
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
DMN65D8LT-13-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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