Hersteller Produktnummer:
DMNH6008SCTQ
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMNH6008SCTQ-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 130A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
311 Stück Neu Original Auf Lager
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DMNH6008SCTQ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Max)
20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2596 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
210W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
DMNH6008
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
DMNH6008SCTQDI
DMNH6008SCTQ-DG
-DMNH6008SCTQDI
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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