DMNH6021SPDW-13
Hersteller Produktnummer:

DMNH6021SPDW-13

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMNH6021SPDW-13-DG

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 60V 8.2A PWRDI50
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 60V 8.2A (Ta), 32A(Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type R)

Inventar:

Angebot Anfrage Online
12891890
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

DMNH6021SPDW-13 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8.2A (Ta), 32A(Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20.1nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1143pF @ 25V
Leistung - Max
1.5W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount, Wettable Flank
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI5060-8 (Type R)
Basis-Produktnummer
DMNH6021

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
DMNH6021SPDW-13
HTML-Datenblatt
DMNH6021SPDW-13-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
DMNH6021SPDW-13DI

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Ähnliche Produkte
diodes

DMN5L06DW-7

MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT363

diodes

DMN2004DWKQ-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363

diodes

DMN3012LEG-7

MOSFET 2N-CH 30V 10A PWRDI3333

diodes

DMN5L06V-7

MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563