Hersteller Produktnummer:

DMP1008UCB9-7

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMP1008UCB9-7-DG

Beschreibung:

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-WLB1515-9

Detaillierte Beschreibung:

P-Channel 8 V 9.8A (Ta) 840mW (Ta) Surface Mount U-WLB1515-9

Inventar:

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DMP1008UCB9-7 Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

Diodes Incorporated

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Reihe

-

Produktstatus

Active

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

8 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

9.8A (Ta)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

2.5V, 4.5V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

5.7mOhm @ 2A, 4.5V

vgs(th) (max.) @ id

1.1V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

8.2 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

-6V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

900 pF @ 4 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

840mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage

Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten

U-WLB1515-9

Paket / Koffer

9-UFBGA, WLBGA

Basis-Produktnummer

DMP1008

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

3,000

Andere Namen

31-DMP1008UCB9-7TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

ROHS3 Compliant

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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