Hersteller Produktnummer:
DMP1011UCB9-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMP1011UCB9-7-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 8 V 10A (Ta) 890mW (Ta) Surface Mount U-WLB1515-9
Inventar:
15039 Stück Neu Original Auf Lager
12884295
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DMP1011UCB9-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
8 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
-6V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1060 pF @ 4 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
890mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
U-WLB1515-9
Paket / Koffer
9-UFBGA, WLBGA
Basis-Produktnummer
DMP1011
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DMP1011UCB9-7DITR
DMP1011UCB9-7DICT
DMP1011UCB9-7DIDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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