Hersteller Produktnummer:
DMP2010UFG-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMP2010UFG-13-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 12.7A (Ta), 42A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
Inventar:
12902367
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DMP2010UFG-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12.7A (Ta), 42A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
103 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3350 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
900mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI3333-8
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
DMP2010
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
DMP2010UFG-7
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
4571
TEILNUMMER
DMP2010UFG-7-DG
Einheitspreis
0.26
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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