Hersteller Produktnummer:
DMP3165SVT-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMP3165SVT-7-DG
Beschreibung:
MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 2.7A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TSOT-26
Inventar:
12883116
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DMP3165SVT-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
3.3V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
95mOhm @ 2.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
287 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
800mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TSOT-26
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Basis-Produktnummer
DMP3165
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DMP3165SVT-7DI
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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