DMS3012SFG-7
Hersteller Produktnummer:

DMS3012SFG-7

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMS3012SFG-7-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI3333
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 12A (Ta) 890mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8

Inventar:

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DMS3012SFG-7 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 13.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4310 pF @ 15 V
FET-Funktion
Schottky Diode (Body)
Verlustleistung (max.)
890mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI3333-8
Paket / Koffer
8-PowerVDFN

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,000
Andere Namen
DMS3012SFG-7DITR
DMS3012SFG-7DICT
DMS3012SFG7
DMS3012SFG-7DIDKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
IRFH8334TRPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
11160
TEILNUMMER
IRFH8334TRPBF-DG
Einheitspreis
0.16
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
RQ3E120BNTB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
2880
TEILNUMMER
RQ3E120BNTB-DG
Einheitspreis
0.16
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
RQ3E130MNTB1
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
RQ3E130MNTB1-DG
Einheitspreis
0.40
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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