Hersteller Produktnummer:
DMT10H072LFDF-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMT10H072LFDF-13-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 4A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Inventar:
12894657
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DMT10H072LFDF-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
62mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
266 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
800mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
U-DFN2020-6 (Type F)
Paket / Koffer
6-UDFN Exposed Pad
Basis-Produktnummer
DMT10
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
DMT10H072LFDF-7
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
3000
TEILNUMMER
DMT10H072LFDF-7-DG
Einheitspreis
0.21
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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