DMT3009LFVW-7

Hersteller Produktnummer:

DMT3009LFVW-7

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMT3009LFVW-7-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 30 V 12A (Ta), 50A (Tc) 2.3W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

Inventar:

650 Stück Neu Original Auf Lager

12883509

Angebot anfordern

Menge
Mindestens 1

(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden

EINREICHEN

DMT3009LFVW-7 Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

Diodes Incorporated

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Reihe

-

Produktstatus

Active

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

30 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

12A (Ta), 50A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

3.8V, 10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 14.4A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

3V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

12 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

823 pF @ 15 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.3W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage

Surface Mount, Wettable Flank

Gerätepaket für Lieferanten

PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

Paket / Koffer

8-PowerVDFN

Basis-Produktnummer

DMT3009

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

DMT3009LFVW-7-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

2,000

Andere Namen

DMT3009LFVW-7-DG

31-DMT3009LFVW-7CT

31-DMT3009LFVW-7DKR

31-DMT3009LFVW-7TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

ROHS3 Compliant

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer

TPH11003NL,LQ

HERSTELLER

Toshiba Semiconductor and Storage

VERFÜGBARE ANZAHL

2298

TEILNUMMER

TPH11003NL,LQ-DG

Einheitspreis

0.23

ERSATZART

MFR Recommended

Teilenummer

RQ3E120BNTB

HERSTELLER

Rohm Semiconductor

VERFÜGBARE ANZAHL

2880

TEILNUMMER

RQ3E120BNTB-DG

Einheitspreis

0.16

ERSATZART

MFR Recommended

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Ähnliche Produkte

diodes

DMN60H080DS-13

MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3

DMT3020LFCL-7

MOSFET N-CH 30V 7.6A 6UDFN

diodes

DMN63D8LW-13

MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323

diodes

DMS3016SFG-7

MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI3333-8