DMT3011LDT-7

Hersteller Produktnummer:

DMT3011LDT-7

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMT3011LDT-7-DG

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 30V 8A/10.7A 8VDFN

Detaillierte Beschreibung:

Mosfet Array 30V 8A, 10.7A 1.9W Surface Mount V-DFN3030-8 (Type K)

Inventar:

8665 Stück Neu Original Auf Lager

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DMT3011LDT-7 Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays

Hersteller

Diodes Incorporated

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Reihe

-

Produktstatus

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Konfiguration

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET-Funktion

-

Drain zur Quellspannung (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

8A, 10.7A

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 6A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

3V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

13.2nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

641pF @ 15V

Leistung - Max

1.9W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 155°C (TJ)

Art der Montage

Surface Mount

Paket / Koffer

8-VDFN Exposed Pad

Gerätepaket für Lieferanten

V-DFN3030-8 (Type K)

Basis-Produktnummer

DMT3011

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

DMT3011LDT-7-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

3,000

Andere Namen

DMT3011LDT-7-DG

DMT3011LDT-7DICT

DMT3011LDT-7DITR

DMT3011LDT-7DIDKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

ROHS3 Compliant

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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