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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
DMT3011LDT-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMT3011LDT-7-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 8A/10.7A 8VDFN
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 8A, 10.7A 1.9W Surface Mount V-DFN3030-8 (Type K)
Inventar:
8665 Stück Neu Original Auf Lager
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DMT3011LDT-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A, 10.7A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
641pF @ 15V
Leistung - Max
1.9W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 155°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-VDFN Exposed Pad
Gerätepaket für Lieferanten
V-DFN3030-8 (Type K)
Basis-Produktnummer
DMT3011
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
DMT3011LDT-7
HTML-Datenblatt
DMT3011LDT-7-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DMT3011LDT-7-DG
DMT3011LDT-7DICT
DMT3011LDT-7DITR
DMT3011LDT-7DIDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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