Hersteller Produktnummer:
DMT6002LPS-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMT6002LPS-13-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 2.3W Surface Mount PowerDI5060-8 (Type K)
Inventar:
2486 Stück Neu Original Auf Lager
12889174
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
DMT6002LPS-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
130.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6555 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.3W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI5060-8 (Type K)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
DMT6002
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
31-DMT6002LPS-13DKR
DMT6002LPS-13-DG
31-DMT6002LPS-13TR
31-DMT6002LPS-13CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SSM3J66MFV,L3F
MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
2SK3466(TE24L,Q)
MOSFET N-CH 500V 5A 4TFP
SSM3K324R,LF
MOSFET N-CH 30V 4A SOT-23F
