Hersteller Produktnummer:

DMT6009LJ3

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMT6009LJ3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 74.5A TO251

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 60 V 74.5A (Tc) 2.9W (Ta), 83.3W (Tc) Through Hole TO-251 (Type TH)

Inventar:

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DMT6009LJ3 Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

Diodes Incorporated

Verpackung

-

Reihe

-

Produktstatus

Obsolete

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

60 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

74.5A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

4.5V, 10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 13.5A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

2V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

33.5 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

1925 pF @ 30 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.9W (Ta), 83.3W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage

Through Hole

Gerätepaket für Lieferanten

TO-251 (Type TH)

Paket / Koffer

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Basis-Produktnummer

DMT6009

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

75

Andere Namen

DMT6009LJ3DI

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

ROHS3 Compliant

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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