Hersteller Produktnummer:
DMT6012LFDF-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMT6012LFDF-7-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 9.5A 6UDFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 9.5A (Ta) 900mW (Ta), 11W (Tc) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Inventar:
3000 Stück Neu Original Auf Lager
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DMT6012LFDF-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
785 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
900mW (Ta), 11W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
U-DFN2020-6 (Type F)
Paket / Koffer
6-UDFN Exposed Pad
Basis-Produktnummer
DMT6012
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DMT6012LFDF-7-DG
31-DMT6012LFDF-7TR
31-DMT6012LFDF-7DKR
31-DMT6012LFDF-7CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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