Hersteller Produktnummer:
DMT6015LFV-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMT6015LFV-7-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V PWRDI3333
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 9.5A (Ta), 35A (Tc) 2.2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UX)
Inventar:
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DMT6015LFV-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9.5A (Ta), 35A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1103 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.2W (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI3333-8 (Type UX)
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
DMT6015
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
31-DMT6015LFV-7TR
31-DMT6015LFV-7CT
DMT6015LFV-7-DG
31-DMT6015LFV-7DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TPN11006NL,LQ
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
10188
TEILNUMMER
TPN11006NL,LQ-DG
Einheitspreis
0.27
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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