DMT6015LFVW-7

Hersteller Produktnummer:

DMT6015LFVW-7

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMT6015LFVW-7-DG

Beschreibung:

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 60 V 10A (Ta), 31.8A (Tc) 2.8W (Ta), 28.4W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

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DMT6015LFVW-7 Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

Diodes Incorporated

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Reihe

-

Produktstatus

Active

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

60 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

10A (Ta), 31.8A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

4.5V, 10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 10A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

2.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

15.7 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

808 pF @ 30 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.8W (Ta), 28.4W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage

Surface Mount, Wettable Flank

Gerätepaket für Lieferanten

PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

Paket / Koffer

8-PowerVDFN

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

2,000

Andere Namen

31-DMT6015LFVW-7TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

ROHS3 Compliant

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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