Hersteller Produktnummer:
DMT6018LDR-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMT6018LDR-13-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 60V 8.8A 8VDFN
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 60V 8.8A (Ta) 1.9W Surface Mount V-DFN3030-8
Inventar:
19970 Stück Neu Original Auf Lager
12884136
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DMT6018LDR-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8.8A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 8.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13.9nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
869pF @ 30V
Leistung - Max
1.9W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Gerätepaket für Lieferanten
V-DFN3030-8
Basis-Produktnummer
DMT6018
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Andere Namen
31-DMT6018LDR-13DKR
DMT6018LDR-13-DG
31-DMT6018LDR-13TR
31-DMT6018LDR-13CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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