DMT8008SCT
Hersteller Produktnummer:

DMT8008SCT

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMT8008SCT-DG

Beschreibung:

MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 111A (Tc) 2.4W (Ta), 167W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventar:

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DMT8008SCT Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
111A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1950 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.4W (Ta), 167W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
DMT8008

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
DMT8008SCT

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
31-DMT8008SCT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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