DMTH6005LK3Q-13
Hersteller Produktnummer:

DMTH6005LK3Q-13

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMTH6005LK3Q-13-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-2
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 2.1W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount TO-252-3

Inventar:

4862 Stück Neu Original Auf Lager
12895235
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

DMTH6005LK3Q-13 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.6mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
47.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2962 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.1W (Ta), 100W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252-3
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
DMTH6005

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
DMTH6005LK3Q-13-DG
DMTH6005LK3Q-13DIDKR
DMTH6005LK3Q-13DITR
DMTH6005LK3Q-13DICT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
taiwan-semiconductor

TSM150NB04CR RLG

MOSFET N-CH 40V 10A/41A 8PDFN

diodes

DMN3008SFG-13

MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333

diodes

DMTH10H010SPS-13

MOSFET N-CH 100V PWRDI5060

taiwan-semiconductor

TSM220NB06LCR RLG

MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN